《不同源汲極延伸長度在SOI n通道FinFETs中之DIBL與貫穿效應》好看嗎?本站為大家整理《不同源汲極延伸長度在SOI n通道FinFETs中之DIBL與貫穿效應》書評 / 心得,作者為王木俊, 黃文敭, 劉婉萱, 趙廷唯, 饒子揚, 段復元[著],出版社為,目前館藏地國家圖書館; 448.87; 8954 v.15,以下為本書更詳細資訊:
- 書名:不同源汲極延伸長度在SOI n通道FinFETs中之DIBL與貫穿效應
- 編著者:王木俊, 黃文敭, 劉婉萱, 趙廷唯, 饒子揚, 段復元[著]
- 版本:
- 出版社:
- 面頁數尺寸:2面 : 圖 30公分
- 集叢名:微電子技術發展與應用研討會論文集
- 出版年:2017
- 館藏地及索書號:國家圖書館; 448.87; 8954 v.15
- NBI 紀錄號:.b182941413
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- 價錢:
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但在這次量測實驗中,我們以不同源/汲極延伸長度(Source/drainextensionlength,LSDE)的條件,來探討鰭式電晶體通...
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電容值,W為通道寬度,L為通道長度,Vdd為操作電壓,Vth,lin為在線性區.量得的臨界電壓,Vds為汲極偏壓[11]。而因...
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王木俊
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王木俊,“奈米製程中應變工程對MOS元件效能之影響”(TSIA)台灣半導體產業協會簡訊...“不同源/汲極延伸長度在SOIn通...
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dibl 改善的評價費用和推薦,EDU.TW
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liushengzhe:至延伸至源極空乏區,還導致DIBL,此時無需閘極,橫07/3108:06...我們也量測汲極導致位障降低(DIBL)...
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TWI606498B
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相對於平面電晶體,此等FinFET給予改良之通道控制及因此減小短通道效應。...此一程序可包含對於源極/汲極延伸植入...
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(12)發明說明書公告本
patentimages.storage.g
防止源極與汲極之間之低摻雜且不在閘極之直接控制下之.任何區域中之一潛在的洩漏路徑。在習知塊體FinFET中,.該接...
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