《GIDL 效應驗證微影偏移於奈米SOI n通道FinFET》好看嗎?本站為大家整理《GIDL 效應驗證微影偏移於奈米SOI n通道FinFET》書評 / 心得,作者為饒子揚, 徐振威, 鄧永志, 段復元, 王木俊[著],出版社為,目前館藏地國家圖書館; 448.87; 8954 v.15,以下為本書更詳細資訊:
- 書名:GIDL 效應驗證微影偏移於奈米SOI n通道FinFET
- 編著者:饒子揚, 徐振威, 鄧永志, 段復元, 王木俊[著]
- 版本:
- 出版社:
- 面頁數尺寸:2面 : 圖 30公分
- 集叢名:微電子技術發展與應用研討會論文集
- 出版年:2017
- 館藏地及索書號:國家圖書館; 448.87; 8954 v.15
- NBI 紀錄號:.b182941279
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標籤
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光學微影技術將會取代193奈米光學微影技術成為2007年65奈米世代第一選擇。...是否能向更小的特徵尺寸邁進,也有賴...
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2018年2月5日—若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體製程技術,除了即將量產的7奈米FinFET尖端製程,以及預計將...
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gidl效應的評價費用和推薦,EDU.TW和網紅們這樣回答
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gidl效應在王木俊-明新科技大學的評價費用和推薦.饒子揚、徐振威、鄧永志、段復元、王木俊,“GIDL效應驗證微影偏移...
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